MOSFET جسماني ڊيوڊس ۾ ريورس بحالي کي ختم ڪرڻ

اليڪٽرانڪس جي دائري ۾، MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) سڀ کان وڌيڪ اجزاء جي طور تي سامهون آيا آهن، انهن جي ڪارڪردگي، سوئچنگ جي رفتار، ۽ ڪنٽرول قابليت لاءِ مشهور آهن. بهرحال، MOSFETs جي هڪ موروثي خصوصيت، جسماني ڊاءڊ، هڪ رجحان متعارف ڪرايو آهي جيڪو ريورس وصولي طور سڃاتو وڃي ٿو، جيڪو ڊوائيس جي ڪارڪردگي ۽ سرڪٽ ڊيزائن کي متاثر ڪري سگهي ٿو. هي بلاگ پوسٽ MOSFET باڊي ڊيوڊس ۾ ريورس بحالي جي دنيا ۾ شامل ڪري ٿو، ان جي ميڪانيزم، اهميت، ۽ MOSFET ايپليڪيشنن لاءِ اثرن جي ڳولا ڪري ٿو.

ريورس وصولي جي ميڪانيزم کي ظاهر ڪندي

جڏهن هڪ MOSFET کي بند ڪيو ويندو آهي، ان جي چينل ذريعي وهندڙ موجوده اوچتو مداخلت ڪئي وئي آهي. بهرحال، پاراسيٽڪ باڊي ڊيوڊ، جيڪو MOSFET جي موروثي ڍانچي مان ٺهيل آهي، هڪ ريورس ڪرنٽ هلائي ٿو جيئن چينل ۾ ذخيرو ٿيل چارج ٻيهر گڏ ٿئي ٿو. هي ريورس ڪرنٽ، جنهن کي ريورس ريڪوري ڪرنٽ (Irrm) جي نالي سان سڃاتو وڃي ٿو، آهستي آهستي وقت سان گڏ ختم ٿي وڃي ٿو جيستائين اهو صفر تي پهچي وڃي، ريورس ريٽوري واري دور جي پڄاڻي (trr) کي نشانو بڻائيندي.

ريورس بحالي تي اثر انداز ڪندڙ عنصر

MOSFET باڊي ڊيوڊس جي ريورس وصولي جا خاصيتون ڪيترن ئي عنصر کان متاثر ٿين ٿا:

MOSFET جي جوڙجڪ: جاميٽري، ڊاپنگ جي سطح، ۽ MOSFET جي اندروني ساخت جي مادي خاصيتون Irrm ۽ trr کي طئي ڪرڻ ۾ اهم ڪردار ادا ڪن ٿيون.

آپريٽنگ حالتون: ريورس وصولي رويي پڻ متاثر ٿئي ٿي آپريٽنگ حالتن، جهڙوڪ لاڳو ٿيل وولٹیج، سوئچنگ جي رفتار، ۽ درجه حرارت.

خارجي سرڪٽي: MOSFET سان ڳنڍيل خارجي سرڪٽي ريورس بحالي واري عمل تي اثر انداز ڪري سگھي ٿي، بشمول سنوبر سرڪٽ يا انسائيڪلوپيڊيا لوڊ جي موجودگي.

MOSFET ايپليڪيشنن لاءِ ريورس بحالي جا اثر

ريورس وصولي MOSFET ايپليڪيشنن ۾ ڪيترن ئي چئلينج کي متعارف ڪرائي سگھي ٿي:

وولٹیج اسپائڪس: اوچتو ريورس ڪرنٽ ۾ ريورس ريڪوري دوران وولٽيج اسپيڪس پيدا ڪري سگھي ٿي جيڪا MOSFET جي بريڪ ڊائون وولٽيج کان وڌي سگھي ٿي، ممڪن طور تي ڊوائيس کي نقصان پهچائي سگھي ٿي.

توانائي جا نقصان: ريورس وصولي موجوده توانائي کي ختم ڪري ٿو، بجلي جي نقصان ۽ امڪاني حرارتي مسئلن جي ڪري.

سرڪٽ جو شور: ريورس وصولي وارو عمل سرڪٽ ۾ شور داخل ڪري سگھي ٿو، سگنل جي سالميت کي متاثر ڪري ٿو ۽ ممڪن طور تي حساس سرڪٽ ۾ خرابي پيدا ڪري ٿو.

Reverse Recovery Effects کي گھٽائڻ

ريورس بحالي جي خراب اثرات کي گھٽائڻ لاء، ڪيترن ئي طريقن کي استعمال ڪري سگھجي ٿو:

سنوبر سرڪٽس: سنوبر سرڪٽس، عام طور تي رزسٽرز ۽ ڪيپيسٽرز تي مشتمل هوندا آهن، MOSFET سان ڳنڍجي سگھجن ٿا ته جيئن وولٽيج اسپائڪس کي ڊمپ ڪري ۽ ريورس ريڪوري دوران توانائي جي نقصان کي گھٽائي سگهجي.

نرم سوئچنگ ٽيڪنڪس: نرم سوئچنگ ٽيڪنڪ، جهڙوڪ پلس ويڊٿ ماڊل (PWM) يا گونج واري سوئچنگ، MOSFET جي سوئچنگ کي وڌيڪ تدريجي طور تي ڪنٽرول ڪري سگھن ٿيون، ريورس بحالي جي شدت کي گھٽائي.

گھٽ ريورس وصولي سان MOSFETs کي چونڊڻ: گھٽ Irrm ۽ trr سان MOSFETs کي سرڪٽ جي ڪارڪردگي تي ريورس بحالي جي اثر کي گھٽائڻ لاءِ چونڊيو وڃي ٿو.

نتيجو

MOSFET باڊي ڊيوڊس ۾ ريورس بحالي هڪ موروثي خاصيت آهي جيڪا ڊوائيس جي ڪارڪردگي ۽ سرڪٽ ڊيزائن کي متاثر ڪري سگهي ٿي. موزون MOSFETs کي چونڊڻ ۽ بهتر سرڪٽ جي ڪارڪردگي ۽ اعتبار کي يقيني بڻائڻ لاءِ تخفيف واري ٽيڪنڪ کي استعمال ڪرڻ لاءِ ميکانيزم، عنصرن تي اثرانداز ٿيڻ ۽ ريورس وصولي جي اثرن کي سمجھڻ تمام ضروري آهي. جيئن ته MOSFETs اليڪٽرانڪ سسٽم ۾ هڪ اهم ڪردار ادا ڪرڻ جاري رکي ٿو، ريورس بحالي کي خطاب ڪندي سرڪٽ ڊيزائن ۽ ڊوائيس جي چونڊ جو هڪ لازمي پاسو رهي ٿو.